El término técnico "memristor" se compone de dos palabras en inglés: la primera es "memoria" o memoria, y la segunda es resistor (es decir, resistencia). La esencia de la celda es que su conductividad cambia dependiendo de la carga que la atraviesa (es decir, depende del historial de los procesos). Además, esta dependencia es directamente proporcional al valor de la corriente pasada, integrada en el tiempo.
Según la clasificación de dispositivos con memoria interna, el memristor se puede clasificar como un dispositivo electrónico no lineal con propiedades de histéresis. Es decir, por su finalidad funcional, este elemento pertenece a la categoría de componentes microelectrónicos, que tienen la capacidad de memorizar estados previos (foto abajo).
Una nueva era de la informática
En los años 70 del siglo pasado, los científicos desarrollaron un modelo teórico que describe la relación entre el voltaje aplicado al objeto y la integral de tiempo del componente de corriente. Y solo en 2008, se creó la primera muestra de un elemento de resistencia, que corresponde parcialmente a las propiedades declaradas.
Su reacción a las influencias de la corriente no fue similar al comportamiento de un inductor con su flujo magnético, ni al de un capacitor que acumula carga. Y al mismo tiempo, reaccionó al movimiento de cargas no como una resistencia ordinaria. Resultó que los científicos lograron obtener un cuarto elemento eléctrico, ¡diferente de los tres primeros!
Las propiedades conductoras del nuevo componente cambiaron debido a reacciones químicas que tuvieron lugar en una película de 2 capas de solo 5 nm de espesor. La primera de estas capas se agotó especialmente debido a la salida de moléculas de oxígeno de ella. Cuando se aplicó el voltaje, las células de oxígeno liberadas con una carga comenzaron a "vagar" entre las capas, lo que provocó un cambio en la resistencia del elemento.
Ya no podía volver al valor anterior de conductividad, lo que significaba una transición condicional instantánea de un elemento de "cero" a "uno". El fenómeno de histéresis en el memristor hizo posible en una etapa temprana de estudio discernir en él una celda de memoria capaz de reemplazar con éxito elementos semiconductores.
Perspectivas de aplicación
Las características consideradas de los memristores abren teóricamente las siguientes posibilidades:
- Fabricación de elementos de memoria con mejores características que las unidades flash modernas.
- Actualización completa de la base de datos electrónica de dispositivos donde se utilizan celdas de memoria.
- Un aumento significativo de su funcionalidad.
¡Importante!Dado que el memristor realmente corrige la carga que pasa a través de él, cuando usa tales celdas en una PC, por ejemplo, puede prescindir de cargar el sistema en absoluto.
Cuando encienda la computadora, comenzará a funcionar desde el estado en el que se apagó el día anterior. Por supuesto, todos estos son solo supuestos teóricos que requieren confirmación práctica en un futuro próximo.